Бренд: JSMSEMI

  • MJD42CRLG Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -100 В, максимальный ток оллектора Ic max -6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 30. Комплементарная пара: MJD41C

    В корзину
  • MJD44H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 80 В, максимальный ток оллектора Ic max 8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD45H11T4G

    В корзину
  • MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD44H11T4G

    В корзину
  • MJE340G биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-126. Тип проводимости NPN. Максимальный ток коллектора 0.5 А. Максимальноенапряжение коллектор-эмиттер Vceo 300 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo 300 В, коэффициент усиления hFE 100 … 240. Комплементарная пара: MJE350G

    В корзину
  • MJE350G биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-126. Тип проводимости PNP. Максимальный ток коллектора -0.5 А. Максимальноенапряжение коллектор-эмиттер Vceo -300 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo -300 В, коэффициент усиления hFE 30 … 240. Комплементарная пара: MJE340G

    В корзину
  • MMBT2222AT Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-523. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 35. Комплементарная пара: MMBT2907AT

    В корзину
  • NJW0302G — биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-3PN. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 250 В, максимальный ток коллектора Ic max 15 А, коэффициент усиления по току hFE 55…160. Граничная частота 30 МГц.

    В корзину
  • PZT2222A Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-223. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 35. Комплементарная пара: PZTA2907A

    В корзину
  • SS8050 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 25 В, максимальный ток коллектора Ic max 1.5 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: SS8550

    В корзину
  • STB11NK40ZT4 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-263 (D2PAK). Напряжение сток-исток 400 Вольт, максимальный ток стока 10 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 0.55 Ом (при Vgs=10 В, Id = 5 А). Входная ёмкость 1050 пФ. Заряд затвора 28 нКл.

    В корзину
  • STD15NF10 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 39 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 20 мОм (при Vgs =10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 1000 пФ. Заряд затвора 16.2 нКл

    В корзину
  • STD60NF06T4 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 68 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 10 мОм (при Vgs =10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 1204 пФ. Заряд затвора 17.9 нКл

    В корзину
  • STP60NF06FP N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220F. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 22 мОм (при Vgs=10 В, Id =25 А). Заряд затвора 60 нКл.

    В корзину
  • TIP127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -5 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 5 кОм, R2 = 210 Ом) и антипараллельным диодом. Комплиментарная …

    Транзистор TIP127Читайте далее

    В корзину

Корзина

Корзина

Ваша корзина пуста

Назад в магазин
Continue Shopping
Платежные реквизиты
Итоговая сумма 0,00 ₽