Корзина
Отображение 16049–16064 из 17390
-
Транзистор JSM15N10D
8,06 ₽В корзинуJSM15N10D (15N10) N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 15 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 24 мОм (при Vgs=10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 890 пФ. Заряд затвора 24 нКл.
-
Транзистор JSM50N06D
8,06 ₽В корзинуJSM50N06D (50N60) N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 50 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 15 мОм (при Vgs=10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 4600 пФ. Заряд затвора 32 нКл.
-
Транзистор MBT3946
1,42 ₽В корзинуMBT3946 сборка биполярных транзисторов для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости NPN+PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40/-40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.2/-0.2 А, коэффициент усиления по току hFE 100 … 300. Граничная частота — 250 МГц.
-
Транзистор MJD117
9,89 ₽В корзинуMJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500. Комплементарная пара: MJD112
-
Транзистор MJD127
9,88 ₽В корзинуMJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
-
Транзистор MJD127T4G
11,72 ₽В корзинуMJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
-
Транзистор MJD45H11T4G
21,55 ₽В корзинуMJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD44H11T4G
