Корзина
Отображение 2001–2016 из 17725
-
Диод USBLC6-2P6
11,72 ₽В корзинуUSBLC6-2P6 низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-666(SOT-563). Напряжение несрабатывания 6 В, максамильный импульсный ток 5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.6 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …
-
Диод USBLC6-2P6 (Elecsuper)
6,36 ₽В корзинуUSBLC6-2P6 низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-563. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.6 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …
-
Диод USBLC6-2SC6 (Elecsuper)
2,09 ₽В корзинуUSBLC6-2SC6 низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23-6. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 75 Вт, емкость 0.8 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …
-
Диод USBLC6-4SC6 (Elecsuper)
2,04 ₽В корзинуUSBLC6-4SC6 низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23-6. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.6 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …
-
Диод VS-12CWQ10FNTR-M3
35,16 ₽В корзинуДиоды Шоттки VISHAY VS-12CWQ10FNTR-M3 — это полупроводниковый диод с малым падением напряжения при прямом включении. Диоды Шоттки отличаются от обычного выпрямительного диода тем, что вместо традиционного p-n перехода в них используется переход полупроводник-металл, благодаря чему диод имеет низкую емкость, что позволяет использовать его в высокочастотных приложениях.
