Корзина
Отображение 15409–15424 из 16726
-
Транзистор MJD117
9,89 ₽В корзинуMJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500. Комплементарная пара: MJD112
-
Транзистор MJD127
9,88 ₽В корзинуMJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
-
Транзистор MJD127T4G
10,25 ₽В корзинуMJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
-
Транзистор MJD44H11T4G
18,78 ₽В корзинуMJD44H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 80 В, максимальный ток оллектора Ic max 8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD45H11T4G
-
Транзистор MJD45H11T4G
21,55 ₽В корзинуMJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD44H11T4G
-
Транзистор MJE340G
21,69 ₽В корзинуMJE340G биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-126. Тип проводимости NPN. Максимальный ток коллектора 0.5 А. Максимальноенапряжение коллектор-эмиттер Vceo 300 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo 300 В, коэффициент усиления hFE 100 … 240. Комплементарная пара: MJE350G
-
Транзистор MJE350G
22,33 ₽В корзинуMJE350G биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-126. Тип проводимости PNP. Максимальный ток коллектора -0.5 А. Максимальноенапряжение коллектор-эмиттер Vceo -300 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo -300 В, коэффициент усиления hFE 30 … 240. Комплементарная пара: MJE340G
