Емкость, пФ: 260

  • BSS806NEH6327 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 60 Ом (при Vgs =2.5 В, Id = 2 А). Входная ёмкость 260 пФ. Заряд затвора 5 нКл

    В корзину
  • FDN335N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 2.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 72 мОм (при Vgs = 2.5 В, Id = 2 А). Заряд затвора 5 нКл

    В корзину

Корзина

12
13836,74 

Корзина

12
Микросхема IR2181STRPBF

Микросхема IR2181STRPBF

You Saved 0%
Количество
113,40 
Корпус разъема DN-15C

Корпус разъема DN-15C

You Saved 0%
Количество
24,33 
Клистрон К-728

Клистрон К-728

You Saved 0%
Количество
3568,50 
Антенна GSM FPC P02 GSM/2G/3G/4G IPEX-1 10cm

Антенна GSM FPC P02 GSM/2G/3G/4G IPEX-1 10cm

You Saved 0%
Количество
47,67 
Микросхема КР568РЕ2-0004

Микросхема КР568РЕ2-0004

You Saved 0%
Количество
71,37 
Стойка для печатной платы RCD-8

Стойка для печатной платы RCD-8

You Saved 0%
Количество
0,73 
Микросхема AT45DB161E-SHD-T

Микросхема AT45DB161E-SHD-T

You Saved 0%
Количество
83,41 
Транзистор КТ3157А

Транзистор КТ3157А

You Saved 0%
Количество
15,25 
Припой ПОС 61 Прв d=2.0мм 1кг. бухта

Припой ПОС 61 Прв d=2.0мм 1кг. бухта

You Saved 0%
Количество
5203,52 
Микросхема 448УП1

Микросхема 448УП1

You Saved 0%
Количество
60,50 
Антенна GSM GSM 2db RG174 3m SMA-P

Антенна GSM GSM 2db RG174 3m SMA-P

You Saved 0%
Количество
156,78 
Платежные реквизиты
Итоговая сумма 13836,74