Емкость, пФ: 70

  • PESD12VL1BA защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOD-323. Напряжение 12 Вольт, максимальный импульсный ток 12 А (8/20 мкс), пиковая мощность 350 Вт, защита по ESD ±30 кВ возд. /± 30 кВ касание, количество защищаемых линий — 1. Предназначена для защиты от электростатических воздействий и других краткосрочных перенапряжений портов микросхем.

    В корзину
  • PESD15VS1UB защитный диод для поверхностного монтажа в корпусе SOD-523. Напряжение 12 Вольт, максимальный импульсный ток 8 А (8/20 мкс), пиковая мощность 200 Вт, защита по ESD ±30 кВ возд. /± 30 кВ касание, количество защищаемых линий — 1. Предназначена для защиты от электростатических воздействий (ESD) и других краткосрочных перенапряжений портов микросхем.

    В корзину
  • SD12C защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOD-323. Напряжение несрабатывания 12 В, максамильный импульсный ток 12 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 350 Вт, емкость 70 пФ, уровень защиты ESD ±30 кВ возд. /± 30 кВ касание. Предназначена для защиты сигнальных линий от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных помех. Количество защищаемых линий — 1.

    В корзину

Корзина

7
1004,45 

Корзина

7
Транзистор SIHG20N50C-E3

Транзистор SIHG20N50C-E3

You Saved 0%
Количество
119,90 
Разъем BK13C06-32-MF

Разъем BK13C06-32-MF

You Saved 0%
Количество
24,30 
Корпус для РЭА Z10-38 (222x145x55)

Корпус для РЭА Z10-38 (222x145x55)

You Saved 0%
Количество
416,00 
Транзистор PZT2222A

Транзистор PZT2222A

You Saved 0%
Количество
4,60 
Микросхема STM32F103RET6

Микросхема STM32F103RET6

You Saved 0%
Количество
316,47 
Ионистор HP-2R7-J106VYJ11

Ионистор HP-2R7-J106VYJ11

You Saved 0%
Количество
67,27 
Разъем герметичный BLHK12-2PB

Разъем герметичный BLHK12-2PB

You Saved 0%
Количество
55,91 
Платежные реквизиты
Итоговая сумма 1004,45