Граничная частота ft, МГц: 3

Показаны все результаты (5)

• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD42C

  15,30 ₽

  MJD42CRLG Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -100 В, максимальный ток оллектора Ic max -6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 30. Комплементарная пара: MJD41C

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор TIP31C (BR)

  13,98 ₽

  TIP31C биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости NPN. Максимальный ток коллектора 3 А. Максимальноенапряжение коллектор-эмиттер Vceo 100 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo 100 В, коэффициент усиления hFE 10 … 70. Комплементарная пара: TIP32C

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор TIP32C

  13,98 ₽

  TIP32C биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости PNP. Максимальный ток коллектора -3 А. Максимальноенапряжение коллектор-эмиттер Vceo -100 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo -100 В, коэффициент усиления hFE 10 … 70. Комплементарная пара: TIP31C

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор TIP35C (RP)

  78,82 ₽

  TIP35C биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-3P. Тип проводимости NPN. Максимальный ток коллектора 25 А. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vceo 100 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo 100 В, коэффициент усиления hFE 10 … 80. Комплементарная пара: TIP36C

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор TIP36C (RP)

  78,82 ₽

  TIP36C биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-3P. Тип проводимости PNP. Максимальный ток коллектора -25 А. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер Vceo -100 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo -100 В, коэффициент усиления hFE 15 … 80. Комплементарная пара: TIP35C

  В корзину