Отображение 65–80 из 303
EPCQ4ASI8N — микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8.
EPCS16SI8N — последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.
EPCS4SI8N — последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.
FM24CL16B-GTR — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B.
FM25L16B-GTR — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM25L16B.
FM25V02A-GTR — микросхема памяти FRAM 256 Кб, (32 Kбx8), 3 В, корпус SOIC-8.
FM25V20A-GTR — сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 2 Мбит, рабочая температура -40…85 °C, напряжение питания, мин. — 2 В, напряжение питания, макс. — 3.6 В, корпус SOIC-8.
FM25W256-GTR — сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. — 2.7 В, напряжение питания, макс. — 5.5 В, корпус SOIC-8.
HAD8542ARZ (AD8542ARZ) 2х канальный операционный усилитель для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение питания ±7 В, входной ток не более 200 пА, напряжение смещения нуля 3 мВ макс.
Наш менеджер свяжется с вами в течении 5 минут!
Ваша корзина пуста