Корпус: SOT-363

Показаны все результаты (8)

• 

  Быстрый просмотр

  Диод BAV99S

  2,77 ₽

  BAV99S сборка из 2 пар последовательно соединенных малосигнальных переключающих диодов для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Максимальное обратное напряжение (Vrrm) 75 В, максимальный прямой ток (Ifav) 0.15 А, прямое падение напряжения (Vf) 1.25 В. Емкость 1.5 пФ. Время обратного восстановления 6 нс.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Диод ESDA6V1-5W6

  4,06 ₽

  ESDA6V1-5W6 малогабаритная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 12 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 150 Вт, емкость 150 пФ, уровень защиты ESD ±30 кВ возд. /± 30 кВ касание. Предназначена для защиты чувствительной электроники от электростатических разрядов (ESD), переходных процессов и прочих наведенных помех.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Диод SMF05C

  2,35 ₽

  SMF05C защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Напряжение несрабатывания 5 В, максимальный пиковый ток 8 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 100 Вт. Уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты по напряжению до 5 линий от электростатических помех, электромагнитных помех, например, вызванных переходными процессами. Аналоги: SMF05CT1G …

  Диод SMF05CЧитайте далее

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Диод TPD4E1U06DCKR

  3,33 ₽

  TPD4E1U06DCKR низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.4 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

  Диод TPD4E1U06DCKRЧитайте далее

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор 2N7002DW

  2,00 ₽

  2N7002DW — сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток (Vds) 60 Вольт, максимальный ток стока (Id) 0.115 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.5 А).

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор 2N7002DWH6327

  3,66 ₽

  2N7002DWH6327 — сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.38 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.3 А). Заряд затвора 2 нКл.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор BSS138BKS

  2,07 ₽

  BSS138BKS сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.41 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.9 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.5 А). Заряд затвора 0.65 нКл.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MBT3946

  1,42 ₽

  MBT3946 сборка биполярных транзисторов для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости NPN+PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40/-40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.2/-0.2 А, коэффициент усиления по току hFE 100 … 300. Граничная частота — 250 МГц.

  В корзину