Напряжение питания: 2,7…3,6 (max); Uраб.=3,3 В

Показаны все результаты (5)

• 

  Быстрый просмотр

  Микросхема EPCQ4ASI8N

  231,31 ₽

  EPCQ4ASI8N — микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Микросхема EPCS16SI8N

  520,24 ₽

  EPCS16SI8N — последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Микросхема EPCS4SI8N

  233,25 ₽

  EPCS4SI8N — последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Микросхема FM25CL64B-GTR

  100,32 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Микросхема FM25L16B-GTR

  113,86 ₽

  FM25L16B-GTR — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM25L16B.

  В корзину