Показаны все результаты (5)
EPCQ4ASI8N — микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8.
EPCS16SI8N — последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.
EPCS4SI8N — последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.
FM25L16B-GTR — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM25L16B.
Наш менеджер свяжется с вами в течении 5 минут!