Диод 2А509Б

2174,04 ₽

38 в наличии

Год выпуска товара	бг
Вес	1,3 г
Напряжение	мгновенное обратное: 175 В
Ток	постоянный прямой: 100 мА
Частота	критическая: 150…350 ГГц
Емкость	корпуса: 0,3…0,45 пФ
Индуктивность	диода: 0,5 нГн
Мощность	импульсная рассеиваемая: 1,4 кВт
Сопротивление	потерь прямое: не более 1,5 Ом
Заряд	накопленный: не более 25 нКл
Температура	окружающей среды: -60…+100°С
Минимальная наработка	25000 ч
Срок службы	25 лет

Ваша корзина пуста

Платежные реквизиты

Итоговая сумма 0,00 ₽

Диодный мост KBP208