329,40 ₽
15 в наличии
1985
p-n-p
обратный: 0,1 мкА
постоянная рассеиваемая: 100 мВт
эмиттер-база пробивное: 16 В
насыщения между коллектором и эмиттером: 100 Ом
IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.
Наш менеджер свяжется с вами в течении 5 минут!