658,80 ₽
2 в наличии
2005
n-p-n
обратный: не более 30 мА
рассеиваемая макс.: 1,4 Вт
эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю: 4 В
коллектора импульсный: 7 А
IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.
Наш менеджер свяжется с вами в течении 5 минут!
Ваша корзина пуста