Транзистор FF200R12KT4HOSA1

5895,63 ₽

30 в наличии

Детали

Бренд	Infineon Technologies
Год выпуска товара	2025
Тип	IGBT модуль
Максимальный ток	320A
Напряжение	1200В
Мощность	рассеиваемая (Pd) — 1100 Вт
Вес брутто	383.33
Корпус	Screw Mount Module 62 mm
Упаковка	TRAY, 10 шт.

Артикул: 126143 Категории: IGBT транзисторы, ТРАНЗИСТОРЫ

Похожие товары

Быстрый просмотр
Транзистор 12N65
37,62 ₽

12N65 — N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220F. Напряжение сток-исток 650 Вольт, максимальный ток стока 12 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 0.8 Ом (при Vgs =10 В, Id = 6 А). Входная ёмкость 1993 пФ. Заряд затвора 40 нКл

В корзину
Быстрый просмотр
Транзистор 20N06
8,87 ₽

20N06 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 38 мОм (при Vgs=10 В, Id =10 А).

В корзину
Быстрый просмотр
Транзистор 2N7002K
0,50 ₽

2N7002K N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 340 мА. Сопротивление канала в открытом состоянии 0,9 Ом (при Vgs=10 В, Id =500 мА).

В корзину
Быстрый просмотр
Транзистор 1Т403И
285,48 ₽

В корзину