Транзистор IRF640NPBF

21,06 ₽

1600 в наличии

Бренд	Infineon Technologies
Год выпуска товара	2025
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Емкость, пФ	1160
Заряд затвора, нКл	67
Описание	200V, 18A N-Channel MOSFET
Напряжение	пороговое затвора (Vgs th) — 2В
Диапазон рабочих температур	-55…+175 °С
Мощность	рассеиваемая (Pd) — 130 Вт
Вес брутто	3.07
Способ монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220
Упаковка	TUBE, 50 шт.