Вы отложили “Транзистор 2Т9123Б” в свою корзину. Просмотр корзины

Транзистор IRF7103TRPBF

20,09 ₽

3027 в наличии

Детали

Бренд	Infineon Technologies
Год выпуска товара	2023
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Емкость, пФ	290
Заряд затвора, нКл	30
Описание	MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOIC
Напряжение	пороговое затвора (Vgs th) — 3В
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Мощность	рассеиваемая (Pd) — 2 Вт
Вес брутто	0.22
Способ монтажа	поверхностный (SMT)
Корпус	SOIC-8
Упаковка	REEL, 4000 шт.

Артикул: 121623 Категории: ТРАНЗИСТОРЫ, Транзисторы полевые

Похожие товары

Быстрый просмотр
Транзистор 2Т9101АС
834,48 ₽

В корзину
Быстрый просмотр
Транзистор 12N65
37,62 ₽

12N65 — N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220F. Напряжение сток-исток 650 Вольт, максимальный ток стока 12 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 0.8 Ом (при Vgs =10 В, Id = 6 А). Входная ёмкость 1993 пФ. Заряд затвора 40 нКл

В корзину
Быстрый просмотр
Транзистор 25N06
7,84 ₽

25N06 — N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 25 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 30 мОм (при Vgs =10 В, Id = 15 А). Входная ёмкость 1378 пФ. Заряд затвора 12.6 нКл

В корзину
Быстрый просмотр
Транзистор 20N06
8,87 ₽

20N06 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 38 мОм (при Vgs=10 В, Id =10 А).

В корзину