Транзистор IRFBG30PBF

73,10 ₽

1975 в наличии

Бренд	VISHAY
Год выпуска товара	2022
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Емкость, пФ	980
Заряд затвора, нКл	80
Описание	MOSFET 1000V N-CH HEXFET
Напряжение	пороговое затвора (Vgs th) — 4В
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Время	задержки включения/ выключения — 25/ 29 нс
Мощность	рассеиваемая (Pd) — 125 Вт
Вес брутто	2.82
Способ монтажа	Through Hole
Корпус	TO-220AB
Упаковка	TUBE, 1000 шт.

Ваша корзина пуста

Транзистор 2П312Б