117,58 ₽
385 в наличии
JSMSEMI
2025
MOSFET
N
1290
27
-55…+150 °С
6.18
Through Hole
TO-247
IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.
Наш менеджер свяжется с вами в течении 5 минут!
Ваша корзина пуста