762,51 ₽
1 в наличии
1990
n-p-n
рассеиваемая: 200 Вт
эмиттер-база: 3 В
IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.
Наш менеджер свяжется с вами в течении 5 минут!
Ваша корзина пуста