57,69 ₽
638 в наличии
ST Microelectronics
2021
0.66
IRGP4063DPBF IGBT транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-247. Напряжение КЭ Vces 650 В. Ток коллектора Ic 100 А (при Tc=25C). Напряжение насыщения КЭ Vce(sat) 1.65 В (Ic=50 А, Tj=25C). Общие потери на переключение 2.6 мДж.
2N2222A Биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-92. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0,6 А
Наш менеджер свяжется с вами в течении 5 минут!