Способ монтажа: поверхностный (SMT)
Отображение 881–896 из 1129
-
Транзистор AO4606
6,36 ₽В корзинуAO4606 сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+P. Напряжение сток-исток 30 / -30 Вольт, максимальный ток стока 7.5 А / -4.6 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 22 мОм (при Vgs=10 В, Id =6 А). Заряд затвора 5.2 нКл.
-
Транзистор AOD409
18,91 ₽В корзинуAOD409 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -50 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 24 мОм (при Vgs =-10 В, Id = -18 А). Входная ёмкость 3635 пФ. Заряд затвора 25 нКл
-
Транзистор BSH205G2R
3,33 ₽В корзинуBSH205G2R P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -2.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 140 мОм (при Vgs =-4.5 В, Id = -2 А). Емкость 285 пФ. Заряд затвора 2.9 нКл
-
Транзистор BSN20
1,74 ₽В корзинуBSN20 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 50 Вольт, максимальный ток стока 0.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 2.5 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.1 А). Входная ёмкость 17.5 пФ. Заряд затвора 1.7 нКл
-
Транзистор BSP75NHUMA1
63,57 ₽В корзинуBSP75NHUMA1 — это N-канальный переключатель на полевых транзисторах с вертикальной мощностью нижнего уровня, выполненный по интеллектуальной технологии SIPMOS® и полностью защищенный встроенными функциями защиты. Он имеет тепловое отключение с автоматическим перезапуском, а также логический вход уровня.
