Способ монтажа: Поверхностный
Отображение 65–80 из 101
-
Транзистор FMMT591
2,79 ₽В корзинуFMMT591 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -60 В, максимальный ток коллектора Ic max -1 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 80, максимальный коэффициент усиления по току hFE 300
-
Транзистор MBT3946
1,53 ₽В корзинуMBT3946 сборка биполярных транзисторов для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости NPN+PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40/-40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.2/-0.2 А, коэффициент усиления по току hFE 100 … 300. Граничная частота — 250 МГц.
-
Транзистор MJD117
10,83 ₽В корзинуMJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500. Комплементарная пара: MJD112
-
Транзистор MJD127
9,88 ₽В корзинуMJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
-
Транзистор MJD127T4G
12,66 ₽В корзинуMJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
-
Транзистор MJD45H11T4G
21,55 ₽В корзинуMJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD44H11T4G
-
Транзистор MMBT2222AT
1,01 ₽В корзинуMMBT2222AT Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-523. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 35. Комплементарная пара: MMBT2907AT
-
Транзистор MMBT3904 (YONGYUTAI)
0,35 ₽В корзинуMMBT3904 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.2 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 100. Комплементарная пара: MMBT3906



