2N — Элевика — королевство электроники

Транзистор IRF9956

admin — Thu, 18 Jun 2026 04:14:33 +0000

IRF9956TRPBF сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 8.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 18 мОм (при Vgs=10 В, Id =7 А). Заряд затвора 6 нКл.

Транзистор IRF8910TRPBF

admin — Thu, 18 Jun 2026 04:14:27 +0000

Транзистор IRF8313TRPBF

admin — Thu, 18 Jun 2026 04:14:24 +0000

Транзистор IRF7351TRPBF

admin — Thu, 18 Jun 2026 04:14:09 +0000

Транзистор IRF7341TRPBF

admin — Thu, 18 Jun 2026 04:14:06 +0000

Транзистор IRF7313TRPBF

admin — Thu, 18 Jun 2026 04:14:02 +0000

Транзистор IRF7303TRPBF

admin — Thu, 18 Jun 2026 04:13:00 +0000

Транзистор 8205A

admin — Thu, 18 Jun 2026 04:10:24 +0000

8205A сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23-6. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток (Vds) 20 Вольт, максимальный ток стока (Id) 6 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 25 мОм (при Vgs=4.5 В, Id =4 А). Заряд затвора 11 нКл.