Тип проводимости: P
Отображение 17–32 из 78
-
Транзистор FDS4435BZ
10,14 ₽В корзинуFDS4435BZ полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -9.7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 28 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-9.7 А). Заряд затвора 33.8 нКл.
-
Транзистор IRF5210
69,76 ₽В корзинуIRF5210PBF P-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток -100 Вольт, максимальный ток стока -40 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 мОм (при Vgs =-10 В, Id = -24 А). Входная ёмкость 1489 пФ. Заряд затвора 180 нКл
-
Транзистор IRF5305
35,84 ₽В корзинуIRF5305PBF P-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -35 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 мОм (при Vgs =-10 В, Id = -17.5 А). Входная ёмкость 1489 пФ. Заряд затвора 40 нКл
-
Транзистор IRF7404
20,24 ₽В корзинуIRF7404PBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 19 мОм (при Vgs=-4.5 В, Id =-10 А). Заряд затвора 35 нКл.
