Тип проводимости: PNP

Отображение 33–48 из 52

• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD117

  9,89 ₽

  MJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500. Комплементарная пара: MJD112

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD127

  9,88 ₽

  MJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD127T4G

  11,72 ₽

  MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD42C

  15,30 ₽

  MJD42CRLG Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -100 В, максимальный ток оллектора Ic max -6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 30. Комплементарная пара: MJD41C

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD45H11T4G

  21,55 ₽

  MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD44H11T4G

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBT2907A

  0,77 ₽

  MMBT2907A Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -60 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 50. Комплементарная пара: MMBT2222A

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBT3906

  0,37 ₽

  MMBT3906 биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -40 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,2 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 100. Комплементарная пара: MMBT3904

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBT4403

  0,81 ₽

  MMBT4403 биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -40 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,6 А, коэффициент усиления по току hFE 30 … 300 Комплементарная пара: MMBT4401

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBT5401

  0,63 ₽

  MMBT5401 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -150 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 50. Комплементарная пара: MMBT5551

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBTA56

  1,02 ₽

  MMBTA56 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,5 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 100. Комплементарная пара: MMBTA06

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBTA92

  1,22 ₽

  MMBTA92 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -300 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,2 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 60. Комплементарная пара: MMBTA42

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBTA92 (Jingdao)

  1,20 ₽

  MMBTA92 — биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -300 В, максимальный ток коллектора Ic max -0.2 А. Минимальный коэффициент усиления hFE 60. Граничная частота ft 50 МГц. Комплементарная пара: MMBTA42

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MPSA92

  2,43 ₽

  MPSA92 — биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-92. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -300 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,5 А. Минимальный коэффициент усиления hFE 25. Граничная частота ft 50 МГц. Комплементарная пара: MPSA42

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор PBSS5350T,215

  7,32 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор SS8550

  0,83 ₽

  SS8550 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -25 В, максимальный ток коллектора Ic max -1,5 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: SS8050

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор TIP147

  22,77 ₽

  TIP147 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -5 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 5.6 кОм, R2 = 175 Ом) и антипараллельным диодом. Комплиментарная …

  Транзистор TIP147Читайте далее

  В корзину