Тип: MOSFET
Отображение 145–160 из 397
-
Транзистор IRF640N (JSMSEMI)
25,78 ₽В корзинуIRF640N N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 200 Вольт, максимальный ток стока 18 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 0.15 Ом (при Vgs =10 В, Id = 9 А). Входная ёмкость 1200 пФ. Заряд затвора 38 нКл
-
Транзистор IRF7104
24,29 ₽В корзинуIRF7104TRPBF сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P+P. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 95 мОм (при Vgs=-4.5 В, Id =-5.8 А). Заряд затвора 10.6 нКл.
-
Транзистор IRF7319
19,31 ₽В корзинуIRF7319 сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+P. Напряжение сток-исток 30 / -30 Вольт, максимальный ток стока 6 А / -5.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 40 мОм (при Vgs=10 В, Id =6 А). Заряд затвора 5.2 нКл.
