Упаковка: REEL, 2500 шт.

Отображение 369–384 из 390

• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор IRLR3636

  35,00 ₽

  IRLR3636ZPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.3 мОм (при Vgs=10 В, Id =45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 45 нКл.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор IRLR3705Z

  51,00 ₽

  IRLR3705ZPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.3 мОм (при Vgs=10 В, Id =45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 45 нКл.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор IRLR7843

  45,98 ₽

  IRLR7843TRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 120 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3.8 мОм (при Vgs =10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 2485 пФ. Заряд затвора 20.6 нКл

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор IRLR8726

  12,21 ₽

  IRLR8726TRLPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 100 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 5.5 мОм (при Vgs =10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 2295 пФ. Заряд затвора 20 нКл

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор JSM15N10D

  7,06 ₽

  JSM15N10D (15N10) N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 15 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 24 мОм (при Vgs=10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 890 пФ. Заряд затвора 24 нКл.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор JSM50N06D

  7,06 ₽

  JSM50N06D (50N60) N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 50 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 15 мОм (при Vgs=10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 4600 пФ. Заряд затвора 32 нКл.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD112T4

  31,84 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD117

  9,89 ₽

  MJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500. Комплементарная пара: MJD112

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD117T4

  41,10 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD122T4

  35,22 ₽

  MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD127

  9,88 ₽

  MJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD127T4G

  10,25 ₽

  MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD42C

  15,30 ₽

  MJD42CRLG Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -100 В, максимальный ток оллектора Ic max -6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 30. Комплементарная пара: MJD41C

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD44H11T4G

  18,78 ₽

  MJD44H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 80 В, максимальный ток оллектора Ic max 8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD45H11T4G

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD45H11T4G

  21,55 ₽

  MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD44H11T4G

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор STD15NF10

  38,04 ₽

  STD15NF10 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 39 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 20 мОм (при Vgs =10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 1000 пФ. Заряд затвора 16.2 нКл

  В корзину