Бренд: JSMSEMI
Отображение 49–64 из 131
-
Транзистор FDS4435BZ
10,14 ₽В корзинуFDS4435BZ полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -9.7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 28 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-9.7 А). Заряд затвора 33.8 нКл.
-
Транзистор IRF3710S
50,76 ₽В корзинуIRF3710STRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-263 (D2PAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 17.5 мОм (при Vgs =10 В, Id = 28 А). Входная ёмкость 3968 пФ. Заряд затвора 146 нКл
-
Транзистор IRF5305
35,84 ₽В корзинуIRF5305PBF P-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -35 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 мОм (при Vgs =-10 В, Id = -17.5 А). Входная ёмкость 1489 пФ. Заряд затвора 40 нКл
-
Транзистор IRF530NS
35,72 ₽В корзинуIRF530NS N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-263 (D2PAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 33 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 38 мОм (при Vgs=10 В, Id =15 А). Входная ёмкость 1331 пФ. Заряд затвора 53 нКл.



