Бренд: YONGYUTAI

  • Светодиод индикаторный LED0805O (YLED0805O) для поверхностного монтажа в корпусе 0805 (2.0×1.25×0.85 мм), цвет свечения — зеленый, прозрачная линза, длина волны 600 — 612 нм, сила света 70 — 144 мкд

    В корзину
  • Светодиод индикаторный LED0805R (YLED0805R) для поверхностного монтажа в корпусе 0805 (2.0×1.25×0.85 мм), цвет свечения — красный, прозрачная линза, длина волны 615 — 630 нм, сила света 48 — 120 мкд

    В корзину
  • Светодиод индикаторный LED0805W (YLED0805W) для поверхностного монтажа в корпусе 0805 (2.0×1.25×0.85 мм), цвет свечения — белый, матовая светло-желтая линза, длина волны, сила света 210 — 360 мкд

    В корзину
  • Светодиод индикаторный LED0805Y (YLED0805Y) для поверхностного монтажа в корпусе 0805 (2.0×1.25×0.85 мм), цвет свечения — желтый, прозрачная линза, длина волны 584 — 596 нм, сила света 70 — 210 мкд

    В корзину
  • Светодиод индикаторный LED0805YG (YLED0805YG) для поверхностного монтажа в корпусе 0805 (2.0×1.25×0.85 мм), цвет свечения — желто-зеленый, прозрачная линза, длина волны 566 — 576 нм, сила света 20 — 70 мкд

    В корзину
  • 2SB1132 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-89. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -32 В, максимальный ток коллектора Ic max -1 А. Минимальный коэффициент усиления hFE 82. Граничная частота ft 150 МГц.

    В корзину
  • 2SC1623 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-323. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 50 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.1 А. Минимальный коэффициент усиления hFE 60. Граничная частота ft 250 МГц.

    В корзину
  • MJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

    В корзину
  • MMBT3904 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.2 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 100. Комплементарная пара: MMBT3906

    В корзину
  • MMBTA06 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 60 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.5 А. Комплементарная пара: MMBTA56

    В корзину
  • MMBTA56 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,5 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 100. Комплементарная пара: MMBTA06

    В корзину
  • SI2301 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 64 мОм (при Vgs=-4.5 В, Id =-3 А). Аналоги: Si2301DS (Vishay)

    В корзину
  • SI2302 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 35 мОм (при Vgs=4.5 В, Id =3 А). Аналоги: SI2302DS (Vishay)

    В корзину
  • SI2305 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -3.9 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 65 мОм (при Vgs= -4.5 В, Id = -3.9 А).

    В корзину
7
2551,97 

Корзина

Количество
0,35 
Количество
2339,35 
Количество
55,80 
Количество
8,87 
Количество
145,39 
Количество
0,66 
Количество
1,55