Корзина

Микросхема EP2C5T144C8N

EP2C5T144C8N — программируемая вентильная матрица семейство Cyclone® II 4608 ячеек, 402.58 МГц, 90 нм-технология, электропитание 1.2 В, 144-Pin, TQFP лоток.

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема EP3C16Q240C8N

3707,43 ₽

EP3C16Q240C8N — программируемая вентильная матрица семейство Cyclone® III, 15408 ячеек, 160 входов/выходов, 315МГц, электропитание 1.15В … 1.25В, корпус PQFP-240.

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема EPCQ4ASI8N

289,43 ₽

EPCQ4ASI8N — микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8.

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема EPCS16SI8N

635,72 ₽

EPCS16SI8N — последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема EPCS4SI8N

233,25 ₽

EPCS4SI8N — последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема EPM7064STC44-10N

1570,14 ₽

EPM7064STC44-10N — программируемая логическая интегральная схема элементов — 1250, макроячеек — 64, портов ввода/вывода — 36, 175.4 МГц, 5.0 В, внутрисистемная программируемость.

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема F280039CSPZ

663,38 ₽

TMS320F280039CSPZ, микроконтроллер 32 битный Texas Instruments, 120MHz, 384KB (192K x 16) FLASH, FPU, TMU with CLA, CLB, AES and CAN-FD

В корзину

Быстрый просмотр

FM22L16-55-TG — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. — 2.7 В, напряжение питания, макс. — 3.6 В.

В корзину

Быстрый просмотр