Корзина — Страница 476 — Элевика — королевство электроники

Микросхема F280039CSPZ

TMS320F280039CSPZ, микроконтроллер 32 битный Texas Instruments, 120MHz, 384KB (192K x 16) FLASH, FPU, TMU with CLA, CLB, AES and CAN-FD

В корзину

Быстрый просмотр

FM22L16-55-TG — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. — 2.7 В, напряжение питания, макс. — 3.6 В.

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема FM24C04B-GTR

125,97 ₽

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема FM24CL16B-GTR

70,05 ₽

FM24CL16B-GTR — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B.

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема FM24CL64B-GTR

102,07 ₽

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема FM24V10-GTR

421,91 ₽

FM24V10-GTR — сегнетоэлектрическое ОЗУ 1 Mбит, 3.4 МГц, шина I2C, корпус SOIC-8. Примечание: 128 Kбитx8.

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема FM25CL64B-G

83,68 ₽

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема FM25CL64B-GTR

87,63 ₽

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема FM25L16B-GTR

113,86 ₽

FM25L16B-GTR — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM25L16B.

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема FM25V10-GTR

434,06 ₽

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема FM25V20A-GTR

761,98 ₽

FM25V20A-GTR — сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 2 Мбит, рабочая температура -40…85 °C, напряжение питания, мин. — 2 В, напряжение питания, макс. — 3.6 В, корпус SOIC-8.

В корзину

Быстрый просмотр

Микросхема FM25W256-GTR

206,23 ₽

FM25W256-GTR — сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. — 2.7 В, напряжение питания, макс. — 5.5 В, корпус SOIC-8.

В корзину