Корзина

Отображение 15729–15744 из 17390

• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор BSS84PH6327XTSA2

  4,51 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор BTS4141NHUMA1

  103,15 ₽

  Корпус PGSOT2234. Тип по расположению ключей — верхний ключ. Кол-во силовых выходов — 1. Сопротивление открытого ключа 150 мОм. Номинальный ток 700 мА. Напряжение питания, мин. — 12 В. Напряжение питания, макс. — 45 В.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор BTS740S2XUMA1

  340,39 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор D882

  2,03 ₽

  D882 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-89. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 30 В, максимальный ток коллектора Ic max 3 А. Коэффициент усиления hFE 160 … 320 Комплементарная пара: B772

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор DTC143EE

  1,17 ₽

  DTC143EE цифровой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-523. Тип проводимости NPN. R1 = 4.7 кОм, R2 = 4.7 кОм. Максимальное напряжение КЭ 50 В, максимальный выходной ток 100 мА.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор DTC143XCA

  1,17 ₽

  DTC143XCA цифровой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. R1 = 4.7 кОм, R2 = 10 кОм. Максимальное напряжение КЭ 50 В, максимальный выходной ток 100 мА.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор DTC143ZCA

  1,37 ₽

  DTC143ZCA цифровой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. R1 = 4.7 кОм, R2 = 47 кОм. Максимальное напряжение КЭ 50 В, максимальный выходной ток 100 мА.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор ES138K

  0,70 ₽

  ES138K N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.5 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.4 А).

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор ES15N10G

  6,77 ₽

  ES15N10G N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 12 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 85 мОм (при Vgs =10 В, Id = 8 А).

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор ES50N06

  4,31 ₽

  ES50N06 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 33 мОм (при Vgs=10 В, Id =20 А).

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор ESGNU04R02

  28,77 ₽

  ESGNU04R02 N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 40 Вольт, максимальный ток стока 140 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.65 мОм (при Vgs =10 В, Id = 20 А). Заряд затвора 66 нКл. Аналоги: IRFB7446PBF (Infineon), IRFB7440PBF (Infineon), STP100NF04 (ST), WMK120N04TS (Wayon)

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор ESNQ06R10

  10,58 ₽

  ESNQ06R10 N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 58 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 7.5 мОм (при Vgs =10 В, Id = 30 А). Заряд затвора 78 нКл. Аналоги: STD60NF06T4 (ST); IRFR3806 (Infineon); WMO50N06TS (Wayon);

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор ESNU06R10

  16,49 ₽

  ESNU06R10 N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 58 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 7.5 мОм (при Vgs =10 В, Id = 30 А). Заряд затвора 78 нКл. Аналоги: STP65NF06 (ST); IRFB3806PBF (Infineon); WMK50N06TS (Wayon);

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор FDD6637

  60,16 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор FDD6637 UMW

  20,41 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор FDD8447L

  23,30 ₽

  FDD8447L N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 40 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.5 мОм (при Vgs =10 В, Id = 20 А).

  В корзину