Год выпуска товара: 2023

  • MJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500. Комплементарная пара: MJD112

    В корзину
  • MMBT2222A Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0,6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MMBT2907A

    В корзину
  • MMBT3906 биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -40 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,2 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 100. Комплементарная пара: MMBT3904

    В корзину
  • MMBT4401 биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0,6 А, коэффициент усиления по току hFE 20 … 300

    В корзину
  • MMBTA56 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,5 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 100. Комплементарная пара: MMBTA06

    В корзину
  • MMBTA92 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -300 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,2 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 60. Комплементарная пара: MMBTA42

    В корзину
  • MPSA42 Биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-92. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 310 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.2 А, коэффициент усиления по току hFE 80 … 250. Комплементарная пара: MPSA92

    В корзину
  • NDT2955 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-223. Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 150 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-0.5 А).

    В корзину
  • SI2300 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 6 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 27 мОм (при Vgs =4.5 В, Id = 5 А).

    В корзину
  • SI2312BDS N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 18 мОм (при Vgs=4.5 В, Id =5 А). Аналоги: SI2312BDS-T1-GE3 (Vishay)

    В корзину
  • SI2318CDS N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 40 Вольт, максимальный ток стока 5.6 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 51 мОм (при Vgs=4.5 В, Id =3.9 А). Аналоги: Si2318CDS-T1-GE3 (Vishay)

    В корзину
  • SI2319 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -40 Вольт, максимальный ток стока -5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 85 мОм (при Vgs =-10 В, Id = -3 А). Заряд затвора 14 нКл.

    В корзину
  • SI2319CDS P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -40 Вольт, максимальный ток стока -4.4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 40 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-3 А). Аналоги: Si2319CDS-T1-GE3 (Vishay)

    В корзину
  • SI2323 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 45 мОм (при Vgs =-10 В, Id = -4.9 А). Заряд затвора 10.2 нКл.

    В корзину
  • SI2328DS N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 286 мОм (при Vgs=10 В, Id =3 А).

    В корзину
1
0,72 

Корзина

Количество
0,72