Год выпуска товара: 2024
Отображение 3105–3120 из 3361
-
Транзистор IRLR7843
45,98 ₽В корзинуIRLR7843TRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 120 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3.8 мОм (при Vgs =10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 2485 пФ. Заряд затвора 20.6 нКл
-
Транзистор JSM15N10D
8,71 ₽В корзинуJSM15N10D (15N10) N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 15 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 24 мОм (при Vgs=10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 890 пФ. Заряд затвора 24 нКл.
-
Транзистор JSM50N06D
8,71 ₽В корзинуJSM50N06D (50N60) N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 50 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 15 мОм (при Vgs=10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 4600 пФ. Заряд затвора 32 нКл.
-
Транзистор MBT3946
1,53 ₽В корзинуMBT3946 сборка биполярных транзисторов для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости NPN+PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40/-40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.2/-0.2 А, коэффициент усиления по току hFE 100 … 300. Граничная частота — 250 МГц.
-
Транзистор MJD127
9,88 ₽В корзинуMJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
-
Транзистор MJD127T4G
12,66 ₽В корзинуMJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
-
Транзистор MJE340G
21,69 ₽В корзинуMJE340G биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-126. Тип проводимости NPN. Максимальный ток коллектора 0.5 А. Максимальноенапряжение коллектор-эмиттер Vceo 300 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo 300 В, коэффициент усиления hFE 100 … 240. Комплементарная пара: MJE350G
-
Транзистор MMBT2222AT
1,01 ₽В корзинуMMBT2222AT Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-523. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 35. Комплементарная пара: MMBT2907AT
-
Транзистор MMBT5551 (Jingdao)
0,67 ₽В корзинуMMBT5551 — биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 180 В, максимальный ток коллектора Ic max 0,6 А. Минимальный коэффициент усиления hFE 50. Граничная частота ft 300 МГц. Комплементарная пара: MMBT5401
