Корпус: SOP-8

  • IRF7319 сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+P. Напряжение сток-исток 30 / -30 Вольт, максимальный ток стока 6 А / -5.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 40 мОм (при Vgs=10 В, Id =6 А). Заряд затвора 5.2 нКл.

    В корзину
  • IRF7341 полевой транзистор (MOSFET) дял поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+N. Максимальное напряжение сток-исток Vds 60 В, максимальный ток стока Id 5 А. Минимальное сопротивление канала в открытом состоянии Rds(on) 30 мОм (Vgs =10 В, Id = 4 А).

    В корзину
  • IRF7404PBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 19 мОм (при Vgs=-4.5 В, Id =-10 А). Заряд затвора 35 нКл.

    В корзину
  • IRF7406 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -9 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 20 мОм (при Vgs = -10 В, Id = -7 А). Заряд затвора 29 нКл

    В корзину
  • IRF7413TRPBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 8.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 18 мОм (при Vgs=10 В, Id =7 А). Заряд затвора 6 нКл.

    В корзину
  • IRF7416 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -9.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 18 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-7 А).

    В корзину
  • IRF7420TRPBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 19 мОм (при Vgs=-10 В)

    В корзину
  • IRF7455TRPBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 18 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6.5 мОм (при Vgs=10 В, Id =10 А). Заряд затвора 12.6 нКл.

    В корзину
  • IRF7805ZTRPBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 8.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 18 мОм (при Vgs=10 В, Id =7 А). Заряд затвора 6 нКл.

    В корзину
  • IRF7807ZTRPBF полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 8.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 18 мОм (при Vgs=10 В, Id =7 А). Заряд затвора 6 нКл.

    В корзину
  • IRF8707TRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 13 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 13 мОм (при Vgs =10 В, Id = 7 А). Входная ёмкость 783 пФ. Заряд затвора 6 нКл

    В корзину
  • IRF9317TR P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -15 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 9.5 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-10 А). Заряд затвора 35 нКл.

    В корзину
  • IRF9956TRPBF сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 8.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 18 мОм (при Vgs=10 В, Id =7 А). Заряд затвора 6 нКл.

    В корзину
1
24,12 

Корзина

Количество
24,12