Корпус: TO-252 (DPAK)

  • 30N03A N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 100 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 5.5 мОм (при Vgs=10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 2295 пФ. Заряд затвора 20 нКл.

    В корзину
  • 30N06 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 30 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 35 мОм (при Vgs=10 В, Id =16 А).

    В корзину
  • 50N03 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 50 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 10 мОм (при Vgs=10 В, Id =25 А).

    В корзину
  • 50N06 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 50 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 14.5 мОм (при Vgs=10 В, Id =30 А).

    В корзину
  • AOD409 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -50 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 24 мОм (при Vgs =-10 В, Id = -18 А). Входная ёмкость 3635 пФ. Заряд затвора 25 нКл

    В корзину
  • AOD536 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 39 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12 мОм (при Vgs=10 В, Id =20 А). Заряд затвора 15 нКл.

    В корзину
  • ES15N10G N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 12 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 85 мОм (при Vgs =10 В, Id = 8 А).

    В корзину
  • ES50N06 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 33 мОм (при Vgs=10 В, Id =20 А).

    В корзину
  • ESNQ06R10 N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 58 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 7.5 мОм (при Vgs =10 В, Id = 30 А). Заряд затвора 78 нКл. Аналоги: STD60NF06T4 (ST); IRFR3806 (Infineon); WMO50N06TS (Wayon);

    В корзину
  • FDD8447L N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 40 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.5 мОм (при Vgs =10 В, Id = 20 А).

    В корзину
  • FQD19N10TM N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 19 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 60 мОм (при Vgs=10 В, Id =5 А), заряд затвора 13 нКл.

    В корзину
  • FQD7N20LTM N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 200 Вольт, максимальный ток стока 9 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 300 мОм (при Vgs=10 В, Id =4.5 А), заряд затвора 19 нКл.

    В корзину
  • HXY20N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 25 мОм (при Vgs=10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 416 пФ. Заряд затвора 4.9 нКл.

    В корзину
  • HXY20P03D P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12.5 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-15 А). Входная ёмкость 1345пФ. Заряд затвора 12.5 нКл.

    В корзину
8
2297,30 

Корзина

Количество
11,58 
Количество
92,01 
Количество
1162,25 
Количество
20,17 
Количество
5,19 
Количество
811,30 
Количество
32,94 
Количество
128,92