Корпус: TO-252 (DPAK)

  • IRLR2905PBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 30 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 26 мОм (при Vgs =10 В, Id = 15 А). Входная ёмкость 1378 пФ. Заряд затвора 12.6 нКл

    В корзину
  • IRLR2908TRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 80 Вольт, максимальный ток стока 45 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 20 мОм (при Vgs=10 В, Id =12 А), заряд затвора 12 нКл.

    В корзину
  • IRLR3103TRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 25 мОм (при Vgs =10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 416 пФ. Заряд затвора 4.9 нКл

    В корзину
  • IRLR3410TRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 15 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 112 мОм (при Vgs =10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 1535 пФ. Заряд затвора 26.2 нКл

    В корзину
  • IRLR3636ZPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.3 мОм (при Vgs=10 В, Id =45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 45 нКл.

    В корзину
  • IRLR3705ZPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.3 мОм (при Vgs=10 В, Id =45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 45 нКл.

    В корзину
  • IRLR7843TRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 120 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3.8 мОм (при Vgs =10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 2485 пФ. Заряд затвора 20.6 нКл

    В корзину
  • IRLR8726TRLPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 100 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 5.5 мОм (при Vgs =10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 2295 пФ. Заряд затвора 20 нКл

    В корзину
  • JSM15N10D (15N10) N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 15 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 24 мОм (при Vgs=10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 890 пФ. Заряд затвора 24 нКл.

    В корзину
  • JSM50N06D (50N60) N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 50 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 15 мОм (при Vgs=10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 4600 пФ. Заряд затвора 32 нКл.

    В корзину
  • MJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500. Комплементарная пара: MJD112

    В корзину
  • MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.

    В корзину
  • MJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

    В корзину
  • MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

    В корзину

Корзина

8
440,03 

Корзина

8
Транзистор MJD122T4

Транзистор MJD122T4

You Saved 0%
Количество
35,22 
Клеммник 2EDGK-5.08-09P-14-00A(H)

Клеммник 2EDGK-5.08-09P-14-00A(H)

You Saved 0%
Количество
68,06 
Разрядник K3RP230L-8

Разрядник K3RP230L-8

You Saved 0%
Количество
44,36 
Микросхема TPS62140RGTR

Микросхема TPS62140RGTR

You Saved 0%
Количество
69,50 
Модуль электронный EM-515

Модуль электронный EM-515

You Saved 0%
Количество
91,12 
Диод MBR40200PT

Диод MBR40200PT

You Saved 0%
Количество
53,33 
Реле RH115F/005-1Z3BF

Реле RH115F/005-1Z3BF

You Saved 0%
Количество
76,12 
Наконечник НШВ 10-12

Наконечник НШВ 10-12

You Saved 0%
Количество
2,32 
Платежные реквизиты
Итоговая сумма 440,03