TO-252 (DPAK) — Страница 6 — Элевика — королевство электроники

Транзистор IRLR024NPBF TO-252 (RP)

IRLR2908TRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 80 Вольт, максимальный ток стока 45 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 20 мОм (при Vgs=10 В, Id =12 А), заряд затвора 12 нКл.

В корзину

Быстрый просмотр

Транзистор IRLR3103

26,63 ₽

IRLR3103TRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 25 мОм (при Vgs =10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 416 пФ. Заряд затвора 4.9 нКл

В корзину

Быстрый просмотр

Транзистор IRLR3410

24,31 ₽

IRLR3410TRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 15 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 112 мОм (при Vgs =10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 1535 пФ. Заряд затвора 26.2 нКл

В корзину

Быстрый просмотр

Транзистор IRLR3636

43,21 ₽

IRLR3636ZPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.3 мОм (при Vgs=10 В, Id =45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 45 нКл.

В корзину

Быстрый просмотр

Транзистор IRLR3705Z

62,95 ₽

IRLR3705ZPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 80 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 8.3 мОм (при Vgs=10 В, Id =45 А). Входная ёмкость 2680 пФ. Заряд затвора 45 нКл.

В корзину

Быстрый просмотр

Транзистор IRLR7843

45,98 ₽

IRLR7843TRPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 120 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3.8 мОм (при Vgs =10 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 2485 пФ. Заряд затвора 20.6 нКл

В корзину

Быстрый просмотр

Транзистор IRLR8726

12,21 ₽

IRLR8726TRLPBF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 100 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 5.5 мОм (при Vgs =10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 2295 пФ. Заряд затвора 20 нКл

В корзину

Быстрый просмотр

Транзистор JSM15N10D

8,71 ₽

JSM15N10D (15N10) N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 15 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 24 мОм (при Vgs=10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 890 пФ. Заряд затвора 24 нКл.

В корзину

Быстрый просмотр

Транзистор JSM50N06D

8,71 ₽

JSM50N06D (50N60) N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 50 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 15 мОм (при Vgs=10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 4600 пФ. Заряд затвора 32 нКл.

В корзину

Быстрый просмотр

Транзистор MJD117

10,83 ₽

MJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500. Комплементарная пара: MJD112

В корзину

Быстрый просмотр

Транзистор MJD122T4

43,92 ₽

MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.

В корзину

Быстрый просмотр

Транзистор MJD127

9,88 ₽

MJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

В корзину