Категория: ТРАНЗИСТОРЫ

Отображение 609–624 из 830

• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD112T4

  31,84 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD117

  10,83 ₽

  MJD122 CJ биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -2 А, минимальный коэффициент усиления hFE 500. Комплементарная пара: MJD112

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD117T4

  37,15 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD122T4

  43,92 ₽

  MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD127

  9,88 ₽

  MJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD127T4G

  12,66 ₽

  MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD42C

  15,30 ₽

  MJD42CRLG Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -100 В, максимальный ток оллектора Ic max -6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 30. Комплементарная пара: MJD41C

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD45H11T4G

  21,55 ₽

  MJD45H11T4G Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -80 В, максимальный ток оллектора Ic max -8 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MJD44H11T4G

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJE340G

  21,69 ₽

  MJE340G биполярный транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-126. Тип проводимости NPN. Максимальный ток коллектора 0.5 А. Максимальноенапряжение коллектор-эмиттер Vceo 300 В, максимальное напряжение коллектор-база Vcbo 300 В, коэффициент усиления hFE 100 … 240. Комплементарная пара: MJE350G

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJL1302AG

  149,01 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJL3281AG

  155,44 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBF170L

  2,89 ₽

  MMBF170L N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3000 мОм (при Vgs =10 В, Id = 0.5 А).

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBT2222A

  0,72 ₽

  MMBT2222A Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0,6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 40. Комплементарная пара: MMBT2907A

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBT2222AT

  1,01 ₽

  MMBT2222AT Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-523. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0.6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 35. Комплементарная пара: MMBT2907AT

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBT2907A

  0,83 ₽

  MMBT2907A Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ Vceo -60 В, максимальный ток коллектора Ic max -0,6 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 50. Комплементарная пара: MMBT2222A

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MMBT3904

  0,52 ₽

  MMBT3904 Биполярный транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 40 В, максимальный ток коллектора Ic max 0,2 А, минимальный коэффициент усиления по току hFE 100. Комплементарная пара: MMBT3906

  В корзину