Тип монтажа: поверхностный (SMT)

Вы отложили “Микросхема F280039CSPZ” в свою корзину. Просмотр корзины

Отображение 145–160 из 421

Быстрый просмотр
Микросхема ENC28J60-I/SS
319,19 ₽

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема EPCQ4ASI8N
289,43 ₽

EPCQ4ASI8N — микросхема памяти SRAM 4 Мбит, частота 100 МГц, рабочая темпепратура -40…+85 °С, напряжение 3.3 В, потребляемый ток 100 мкА, корпус SOIC-8.

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема EPCS16SI8N
635,72 ₽

EPCS16SI8N — последовательная конфигурационная флэш-память 16 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема EPCS4SI8N
233,25 ₽

EPCS4SI8N — последовательная конфигурационная флэш-память 4 Мбит, напряжение 3.3 В, рабочая температура -40…+85 °С, корпус SOIC-8.

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема F280039CSPZ
663,38 ₽

TMS320F280039CSPZ, микроконтроллер 32 битный Texas Instruments, 120MHz, 384KB (192K x 16) FLASH, FPU, TMU with CLA, CLB, AES and CAN-FD

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема FM22L16-55-TG
1502,43 ₽

FM22L16-55-TG — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память, корпус TSOP244, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс Parallel, объём памяти 4 Мбит, напряжение питания, мин. — 2.7 В, напряжение питания, макс. — 3.6 В.

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема FM24C04B-GTR
125,97 ₽

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема FM24CL16B-GTR
70,05 ₽

FM24CL16B-GTR — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM24CL16B.

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема FM24CL64B-GTR
102,07 ₽

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема FM24V10-GTR
421,91 ₽

FM24V10-GTR — сегнетоэлектрическое ОЗУ 1 Mбит, 3.4 МГц, шина I2C, корпус SOIC-8. Примечание: 128 Kбитx8.

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема FM25CL64B-GTR
89,00 ₽

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема FM25L16B-GTR
113,86 ₽

FM25L16B-GTR — энергонезависимая сегнетоэлектрическая оперативная память серии FM25L16B.

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема FM25V10-GTR
434,06 ₽

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема FM25V20A-GTR
761,98 ₽

FM25V20A-GTR — сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 2 Мбит, рабочая температура -40…85 °C, напряжение питания, мин. — 2 В, напряжение питания, макс. — 3.6 В, корпус SOIC-8.

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема FM25W256-GTR
206,23 ₽

FM25W256-GTR — сегнетоэлектрическое ОЗУ, тип памяти RAM, подтип памяти FRAM (Ferroelectric RAM), интерфейс SPI, объём памяти 256 Кбит, напряжение питания, мин. — 2.7 В, напряжение питания, макс. — 5.5 В, корпус SOIC-8.

В корзину
Быстрый просмотр
Микросхема FM28V020-SGTR
394,97 ₽

FM28V020-SGTR — cегнетоэлектрическое ОЗУ FRAM, 256 Кбит, параллельный интерфейс, напряжение 3,3 В, 28 контактов, корпус SOIC T/R.

В корзину