Тип: MOSFET

  • BSS138 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 50 Вольт, максимальный ток стока 0.22 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 880 мОм (при Vgs =10 В, Id = 0.22 А).

    В корзину
  • BSS138BKS сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.41 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.9 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.5 А). Заряд затвора 0.65 нКл.

    В корзину
  • BSS138BKW N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.36 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.9 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.5 А). Емкость 25 пФ. Заряд затвора 1 нКл

    В корзину
  • BSS138NH6327 N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 50 Вольт, максимальный ток стока 0.22 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.9 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.5 А). Заряд затвора 0.65 нКл.

    В корзину
  • BSS138PW N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-323. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 2.2 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.3 А). Заряд затвора (Qg) 1.6 нКл Аналоги: BSS138PW,115 (Nexperia)

    В корзину
  • BSS138W N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-323. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.36 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1,9 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.5 А). Заряд затвора 1 нКл

    В корзину
  • BSS159N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs = 5 В, Id = 0.1 А). Заряд затвора 3 нКл

    В корзину
  • BSS169H6327 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 0.17 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 30 мОм (при Vgs =10 В, Id = 0.17 А).

    В корзину
  • Полевой МОП-транзистор Infineon Technologies SIPMOS® с N-каналом.

    В корзину
  • BSS308PEH6327 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -3.8 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 60 мОм (при Vgs =-10 В, Id = -3 А). Заряд затвора 6.5 нКл.

    В корзину
  • BSS316N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 38 мОм (при Vgs = 10 В, Id = 4 А). Заряд затвора 3 нКл

    В корзину
  • BSS806NEH6327 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 60 Ом (при Vgs =2.5 В, Id = 2 А). Входная ёмкость 260 пФ. Заряд затвора 5 нКл

    В корзину
  • BSS83PH6327 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -2 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 180 Ом (при Vgs=-10 В, Id =-1.5 А). Заряд затвора 11.3 нКл

    В корзину
  • BSS84 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -50 Вольт, максимальный ток стока -0.13 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 2 Ом (при Vgs=-10 В, Id =-0.13 А).

    В корзину
  • ES138K N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.5 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.4 А).

    В корзину
  • ES15N10G N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 12 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 85 мОм (при Vgs =10 В, Id = 8 А).

    В корзину

Корзина

18
6198,34 ₽

Корзина

18
Диод КД212Б (пластмасс)

Диод КД212Б (пластмасс)

You Saved 0%
Количество
119,06 ₽
Диод FR205

Диод FR205

You Saved 0%
Количество
1,29 ₽
Транзистор IRFML8244TRPBF

Транзистор IRFML8244TRPBF

You Saved 0%
Количество
11,75 ₽
Разъем SCM-40 / IDCC-40MS

Разъем SCM-40 / IDCC-40MS

You Saved 0%
Количество
20,00 ₽
Модуль тиристорный МТТ100-12

Модуль тиристорный МТТ100-12

You Saved 0%
Количество
1738,13 ₽
Разъем SM-3M 2.54mm + Terminal

Разъем SM-3M 2.54mm + Terminal

You Saved 0%
Количество
2,04 ₽
Заполнитель

Индикатор антивандальный GQ12WR-G

You Saved 0%
Количество
51,91 ₽
Ремень приводной BELT-GT2-6-752-RUB

Ремень приводной BELT-GT2-6-752-RUB

You Saved 0%
Количество
162,00 ₽
Разъем ОНП-ЖИ-8-42Р-29-2В

Разъем ОНП-ЖИ-8-42Р-29-2В

You Saved 0%
Количество
3024,15 ₽
Колодка клеммная TB-1504

Колодка клеммная TB-1504

You Saved 0%
Количество
13,52 ₽
Заполнитель

Микросхема MAX3483ESA+T

You Saved 0%
Количество
156,40 ₽
Светодиод SMD XL-2012UYC

Светодиод SMD XL-2012UYC

You Saved 0%
Количество
0,52 ₽
Кабельный ввод MGB20-P-13B

Кабельный ввод MGB20-P-13B

You Saved 0%
Количество
120,17 ₽
Флюс паяльный Флюс ЗИЛ-4 30мл

Флюс паяльный Флюс ЗИЛ-4 30мл

You Saved 0%
Количество
25,17 ₽
Клемма 10-0074 green

Клемма 10-0074 green

You Saved 0%
Количество
15,85 ₽
Микросхема SN74LVC2T45DCUR

Микросхема SN74LVC2T45DCUR

You Saved 0%
Количество
22,09 ₽
Микросхема 533ИР10 (200*г)

Микросхема 533ИР10 (200*г)

You Saved 0%
Количество
713,70 ₽
Транзистор BC848B

Транзистор BC848B

You Saved 0%
Количество
0,59 ₽
Платежные реквизиты
Итоговая сумма 6198,34 ₽