Тип: MOSFET
Отображение 81–96 из 391
-
Транзистор FDS4435BZ
10,14 ₽В корзинуFDS4435BZ полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -9.7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 28 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-9.7 А). Заряд затвора 33.8 нКл.
-
Транзистор HXY20N03D
5,67 ₽В корзинуHXY20N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 25 мОм (при Vgs=10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 416 пФ. Заряд затвора 4.9 нКл.
-
Транзистор HXY20P03D
8,37 ₽В корзинуHXY20P03D P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12.5 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-15 А). Входная ёмкость 1345пФ. Заряд затвора 12.5 нКл.


