Тип: MOSFET

  • FDS4435BZ полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -9.7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 28 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-9.7 А). Заряд затвора 33.8 нКл.

    В корзину
  • FDS9431A P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -5.8 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 мОм (при Vgs = -10 В, Id = -5.1 А). Заряд затвора 11 нКл

    В корзину
  • FDS9435A P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -5.8 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 Ом (при Vgs=-10 В, Id =-5.1 А). Заряд затвора 11 нКл

    В корзину
  • FDV301N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 25 Вольт, максимальный ток стока 0.22 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 4000 мОм (при Vgs = 4.5 В, Id = 0.4 А). Заряд затвора 0.49 нКл

    В корзину
  • FDV301N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 1.25 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 300 мОм (при Vgs = 4.5 В, Id = 0.9 А). Заряд затвора 0.8 нКл

    В корзину
  • FDV303N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 1.25 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 0.3 Ом (при Vgs =4.5 В, Id = 0.9 А). Емкость 33 пФ. Заряд затвора 0.8 нКл

    В корзину
  • FDV305N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 0.9 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 220 мОм (при Vgs = 4.5 В, Id = 0.9 А). Заряд затвора 0.8 нКл

    В корзину
  • FQD19N10TM N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 19 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 60 мОм (при Vgs=10 В, Id =5 А), заряд затвора 13 нКл.

    В корзину
  • FQD7N20LTM N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 200 Вольт, максимальный ток стока 9 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 300 мОм (при Vgs=10 В, Id =4.5 А), заряд затвора 19 нКл.

    В корзину
  • FQT7N10LTF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-223. Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 150 мОм (при Vgs =10 В, Id = 4 А).

    В корзину
  • HXY20N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 25 мОм (при Vgs=10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 416 пФ. Заряд затвора 4.9 нКл.

    В корзину
  • HXY20P03D P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12.5 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-15 А). Входная ёмкость 1345пФ. Заряд затвора 12.5 нКл.

    В корзину
  • HXY5N50D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 500 Вольт, максимальный ток стока 5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.8 Ом (при Vgs =10 В, Id = 2 А). Входная ёмкость 415 пФ. Заряд затвора 13 нКл

    В корзину
  • HXY60N02D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6 мОм (при Vgs=4.5 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 2000 пФ. Заряд затвора 27 нКл.

    В корзину
  • HXY60N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 9 мОм (при Vgs=10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 1317 пФ. Заряд затвора 17.6 нКл.

    В корзину
  • HXY7N65D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 650 Вольт, максимальный ток стока 7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.4 Ом (при Vgs =10 В, Id = 3.5 А). Входная ёмкость 1130 пФ. Заряд затвора 24 нКл

    В корзину

Корзина

6
169,26 ₽

Корзина

6
Транзистор FDN5618P

Транзистор FDN5618P

You Saved 0%
Количество
6,48 ₽
Транзистор IRFH5300PBF PQFN 5X6mm (RP)

Транзистор IRFH5300PBF PQFN 5X6mm (RP)

You Saved 0%
Количество
80,00 ₽
Микросхема SN74LVC2G32DCTR

Микросхема SN74LVC2G32DCTR

You Saved 0%
Количество
15,66 ₽
Трубка силиконовая ТКСП Ф4.0 blue 1200V

Трубка силиконовая ТКСП Ф4.0 blue 1200V

You Saved 0%
Количество
16,20 ₽
Заполнитель

Антистатический пакет АВП 155х255мм

You Saved 0%
Количество
7,26 ₽
Разъем USB USB3.1 TYPE-C 24PF-067

Разъем USB USB3.1 TYPE-C 24PF-067

You Saved 0%
Количество
43,66 ₽
Платежные реквизиты
Итоговая сумма 169,26 ₽