Тип: MOSFET

  • FDS4435BZ полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -9.7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 28 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-9.7 А). Заряд затвора 33.8 нКл.

    В корзину
  • FDS9431A P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -5.8 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 мОм (при Vgs = -10 В, Id = -5.1 А). Заряд затвора 11 нКл

    В корзину
  • FDS9435A P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -5.8 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 Ом (при Vgs=-10 В, Id =-5.1 А). Заряд затвора 11 нКл

    В корзину
  • FDV301N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 25 Вольт, максимальный ток стока 0.22 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 4000 мОм (при Vgs = 4.5 В, Id = 0.4 А). Заряд затвора 0.49 нКл

    В корзину
  • FDV301N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 1.25 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 300 мОм (при Vgs = 4.5 В, Id = 0.9 А). Заряд затвора 0.8 нКл

    В корзину
  • FDV303N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 1.25 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 0.3 Ом (при Vgs =4.5 В, Id = 0.9 А). Емкость 33 пФ. Заряд затвора 0.8 нКл

    В корзину
  • FDV305N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 0.9 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 220 мОм (при Vgs = 4.5 В, Id = 0.9 А). Заряд затвора 0.8 нКл

    В корзину
  • FQD19N10TM N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 19 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 60 мОм (при Vgs=10 В, Id =5 А), заряд затвора 13 нКл.

    В корзину
  • FQD7N20LTM N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 200 Вольт, максимальный ток стока 9 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 300 мОм (при Vgs=10 В, Id =4.5 А), заряд затвора 19 нКл.

    В корзину
  • FQT7N10LTF N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-223. Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 150 мОм (при Vgs =10 В, Id = 4 А).

    В корзину
  • HXY20N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 25 мОм (при Vgs=10 В, Id = 10 А). Входная ёмкость 416 пФ. Заряд затвора 4.9 нКл.

    В корзину
  • HXY20P03D P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -20 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12.5 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-15 А). Входная ёмкость 1345пФ. Заряд затвора 12.5 нКл.

    В корзину
  • HXY5N50D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 500 Вольт, максимальный ток стока 5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.8 Ом (при Vgs =10 В, Id = 2 А). Входная ёмкость 415 пФ. Заряд затвора 13 нКл

    В корзину
  • HXY60N02D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 6 мОм (при Vgs=4.5 В, Id = 20 А). Входная ёмкость 2000 пФ. Заряд затвора 27 нКл.

    В корзину
  • HXY60N03D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 60 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 9 мОм (при Vgs=10 В, Id = 30 А). Входная ёмкость 1317 пФ. Заряд затвора 17.6 нКл.

    В корзину
  • HXY7N65D N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 650 Вольт, максимальный ток стока 7 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.4 Ом (при Vgs =10 В, Id = 3.5 А). Входная ёмкость 1130 пФ. Заряд затвора 24 нКл

    В корзину

Корзина

11
496,33 ₽

Корзина

11
Транзистор FQD7N20LTM

Транзистор FQD7N20LTM

You Saved 0%
Количество
25,05 ₽
Кабельный ввод SPR-158-B

Кабельный ввод SPR-158-B

You Saved 0%
Количество
42,10 ₽
Клемма SVS1.25-6 red

Клемма SVS1.25-6 red

You Saved 0%
Количество
1,74 ₽
Заполнитель

Микросхема LM2664M6X/NOPB

You Saved 0%
Количество
28,90 ₽
Стабилитрон MMBZ5V6A

Стабилитрон MMBZ5V6A

You Saved 0%
Количество
1,62 ₽
Геркон КЭМ-2 гр.0Р

Геркон КЭМ-2 гр.0Р

You Saved 0%
Количество
41,61 ₽
Светодиодная лента LED4P white 0,3 m

Светодиодная лента LED4P white 0,3 m

You Saved 0%
Количество
30,11 ₽
Кабельные стяжки КСС 4*150 (син) (100шт)

Кабельные стяжки КСС 4*150 (син) (100шт)

You Saved 0%
Количество
155,42 ₽
Индикатор антивандальный GQ10WF-RGB

Индикатор антивандальный GQ10WF-RGB

You Saved 0%
Количество
88,63 ₽
Микросхема MCP6022T-I/SN

Микросхема MCP6022T-I/SN

You Saved 0%
Количество
77,45 ₽
Кабельные стяжки 157-01105

Кабельные стяжки 157-01105

You Saved 0%
Количество
3,70 ₽
Платежные реквизиты
Итоговая сумма 496,33 ₽