Тип: MOSFET

  • BSS138 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 50 Вольт, максимальный ток стока 0.22 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 880 мОм (при Vgs =10 В, Id = 0.22 А).

    В корзину
  • BSS138BKS сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.41 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.9 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.5 А). Заряд затвора 0.65 нКл.

    В корзину
  • BSS138BKW N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.36 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.9 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.5 А). Емкость 25 пФ. Заряд затвора 1 нКл

    В корзину
  • BSS138NH6327 N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 50 Вольт, максимальный ток стока 0.22 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.9 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.5 А). Заряд затвора 0.65 нКл.

    В корзину
  • BSS138PW N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-323. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 2.2 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.3 А). Заряд затвора (Qg) 1.6 нКл Аналоги: BSS138PW,115 (Nexperia)

    В корзину
  • BSS138W N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-323. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.36 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1,9 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.5 А). Заряд затвора 1 нКл

    В корзину
  • BSS159N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs = 5 В, Id = 0.1 А). Заряд затвора 3 нКл

    В корзину
  • BSS169H6327 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 0.17 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 30 мОм (при Vgs =10 В, Id = 0.17 А).

    В корзину
  • Полевой МОП-транзистор Infineon Technologies SIPMOS® с N-каналом.

    В корзину
  • BSS308PEH6327 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -3.8 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 60 мОм (при Vgs =-10 В, Id = -3 А). Заряд затвора 6.5 нКл.

    В корзину
  • BSS316N N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 38 мОм (при Vgs = 10 В, Id = 4 А). Заряд затвора 3 нКл

    В корзину
  • BSS806NEH6327 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 20 Вольт, максимальный ток стока 3 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 60 Ом (при Vgs =2.5 В, Id = 2 А). Входная ёмкость 260 пФ. Заряд затвора 5 нКл

    В корзину
  • BSS83PH6327 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -2 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 180 Ом (при Vgs=-10 В, Id =-1.5 А). Заряд затвора 11.3 нКл

    В корзину
  • BSS84 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток -50 Вольт, максимальный ток стока -0.13 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 2 Ом (при Vgs=-10 В, Id =-0.13 А).

    В корзину
  • ES138K N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.5 Ом (при Vgs =10 В, Id = 0.4 А).

    В корзину
  • ES15N10G N-канальный полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 12 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 85 мОм (при Vgs =10 В, Id = 8 А).

    В корзину

Корзина

12
1600,59 ₽

Корзина

12
Разъем герметичный RJ45M20L25-6B

Разъем герметичный RJ45M20L25-6B

You Saved 0%
Количество
604,22 ₽
Флюс паяльный Флюс Нашатырь 100г

Флюс паяльный Флюс Нашатырь 100г

You Saved 0%
Количество
117,40 ₽
Микросхема DS1307ZN

Микросхема DS1307ZN

You Saved 0%
Количество
32,35 ₽
Микросхема LAN9500AI-ABZJ

Микросхема LAN9500AI-ABZJ

You Saved 0%
Количество
361,82 ₽
Транзистор IRF7828

Транзистор IRF7828

You Saved 0%
Количество
12,30 ₽
Микросхема ADUM1402BRWZ-RL (RP)

Микросхема ADUM1402BRWZ-RL (RP)

You Saved 0%
Количество
239,63 ₽
Шнур для мобильных устройств Ui-0021 1m

Шнур для мобильных устройств Ui-0021 1m

You Saved 0%
Количество
87,12 ₽
Конденсатор CBB61 1.5 uF 450V (SAIFU)

Конденсатор CBB61 1.5 uF 450V (SAIFU)

You Saved 0%
Количество
35,97 ₽
Диод P6KE33A

Диод P6KE33A

You Saved 0%
Количество
2,90 ₽
Светодиод АЛ336К

Светодиод АЛ336К

You Saved 0%
Количество
19,03 ₽
Кнопка тактовая IT4-1102USA

Кнопка тактовая IT4-1102USA

You Saved 0%
Количество
3,00 ₽
Лазерный модуль LM9R-line-5V

Лазерный модуль LM9R-line-5V

You Saved 0%
Количество
84,85 ₽
Платежные реквизиты
Итоговая сумма 1600,59 ₽