Тип: MOSFET
Отображение 129–144 из 386
-
Транзистор IRF5305
35,84 ₽В корзинуIRF5305PBF P-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток -60 Вольт, максимальный ток стока -35 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 55 мОм (при Vgs =-10 В, Id = -17.5 А). Входная ёмкость 1489 пФ. Заряд затвора 40 нКл
-
Транзистор IRF530NS
31,24 ₽В корзинуIRF530NS N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-263 (D2PAK). Напряжение сток-исток 100 Вольт, максимальный ток стока 33 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 38 мОм (при Vgs=10 В, Id =15 А). Входная ёмкость 1331 пФ. Заряд затвора 53 нКл.
-
Транзистор IRF640N (JSMSEMI)
25,78 ₽В корзинуIRF640N N-канальный полевой транзистор для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Напряжение сток-исток 200 Вольт, максимальный ток стока 18 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 0.15 Ом (при Vgs =10 В, Id = 9 А). Входная ёмкость 1200 пФ. Заряд затвора 38 нКл
-
Транзистор IRF7104
24,29 ₽В корзинуIRF7104TRPBF сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P+P. Напряжение сток-исток -20 Вольт, максимальный ток стока -4 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 95 мОм (при Vgs=-4.5 В, Id =-5.8 А). Заряд затвора 10.6 нКл.
