Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)
Показаны все результаты (8)
-
Транзистор BDX53C
22,33 ₽В корзинуBDX53C транзистор биполярный составной (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости — NPN. Максимальный ток коллектора (Ic) 8 А, Максимальное напряжение КЭ (Vceo) 100 В. Напряжение насыщения КЭ (Vce(sat)) 2 В. Минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Комплиментарная пара BDX54C.
-
Транзистор MJD127
9,88 ₽В корзинуMJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
-
Транзистор MJD127T4G
10,25 ₽В корзинуMJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.
-
Транзистор TIP127
18,13 ₽В корзинуTIP127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -5 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 5 кОм, R2 = 210 Ом) и антипараллельным диодом. Комплиментарная …
-
Транзистор TIP147
19,92 ₽В корзинуTIP147 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -5 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 5.6 кОм, R2 = 175 Ом) и антипараллельным диодом. Комплиментарная …



