Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)

Вы отложили “Транзистор MJD122T4” в свою корзину. Просмотр корзины

Показаны все результаты (6)

Быстрый просмотр
Транзистор BDW93CFP
29,65 ₽

BDW93CFP составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220F. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 100 В, максимальный ток коллектора Ic max 12 А, коэффициент усиления по току hFE 1000 … 20000 Комплементарная пара: BDW94C

В корзину
Быстрый просмотр
Транзистор MJD122T4
35,22 ₽

MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.

В корзину
Быстрый просмотр
Транзистор MJD127
9,88 ₽

MJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

В корзину
Быстрый просмотр
Транзистор MJD127T4G
11,72 ₽

MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

В корзину
Быстрый просмотр
Транзистор TIP122
19,62 ₽

В корзину
Быстрый просмотр
Транзистор TIP147
22,77 ₽

TIP147 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -5 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 5.6 кОм, R2 = 175 Ом) и антипараллельным диодом. Комплиментарная …

Транзистор TIP147Читайте далее

В корзину