Тип: Составной транзистор (Дарлингтона)

Показаны все результаты (6)

• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор BDW93CFP

  29,65 ₽

  BDW93CFP составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220F. Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение КЭ Vceo 100 В, максимальный ток коллектора Ic max 12 А, коэффициент усиления по току hFE 1000 … 20000 Комплементарная пара: BDW94C

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD122T4

  35,22 ₽

  MJD122T4 составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости NPN. Максимальное напряжение коллектор-эммитер -100 Вольт, максимальный ток коллектора -8 Ампер, коэффициент усиления по току hFE 15.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD127

  9,88 ₽

  MJD127 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -3 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор MJD127T4G

  11,72 ₽

  MJD127T4G биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -8 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 8 кОм, R2 = 120 Ом) и антипараллельным диодом.

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор TIP122

  19,62 ₽

  В корзину
• 

  Быстрый просмотр

  Транзистор TIP147

  22,77 ₽

  TIP147 биполярный составной транзистор (Дарлингтона) для сквозного монтажа в корпусе TO-220. Тип проводимости PNP. Максимальное напряжение КЭ (Vceo) -100 В, максимальный ток коллектора (Ic) -5 А, минимальный коэффициент усиления hFE 1000. Представляет собой составной транзистор с встроенными резисторами, включенными между базой и эмиттером (R1 = 5.6 кОм, R2 = 175 Ом) и антипараллельным диодом. Комплиментарная …

  Транзистор TIP147Читайте далее

  В корзину