Бренд: Elecsuper

  • TPD2EUSB30DRTR низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-523. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 72 Вт, емкость 1 пФ, уровень защиты ESD ±15 кВ возд. /± 15 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 2.0, USB 3.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод TPD2EUSB30DRTRЧитайте далее

    В корзину
  • TPD4E001DBVR защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23-6. Напряжение несрабатывания 5 В, максимальный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 1 пФ, уровень защиты ESD ± 17 кВ возд. /± 12 кВ касание.

    В корзину
  • TPD4E05U06DQAR низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе DFN2510-10L. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.6 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод TPD4E05U06DQAR (Elecsuper)Читайте далее

    В корзину
  • TPD4E1U06DCKR низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.4 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод TPD4E1U06DCKRЧитайте далее

    В корзину
  • USBLC6-2P6 низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-563. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.6 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод USBLC6-2P6 (Elecsuper)Читайте далее

    В корзину
  • USBLC6-2SC6 низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23-6. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 75 Вт, емкость 0.8 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод USBLC6-2SC6 (Elecsuper)Читайте далее

    В корзину
  • USBLC6-4SC6 низкоемкостная защитная диодная сборка для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23-6. Напряжение несрабатывания 5 В, максамильный импульсный ток 4.5 А (8/20 мкс), пиковая рассеиваемая мощность 60 Вт, емкость 0.6 пФ, уровень защиты ESD ±17 кВ возд. /± 12 кВ касание. Предназначена для защиты интерфейсов HDMI, USB 1.1, USB 2.0, Ethernet от электростатических (ESD), электромагнитных наведенных …

    Диод USBLC6-4SC6 (Elecsuper)Читайте далее

    В корзину
  • 2N7002BK — N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.38 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs = 10 В, Id = 0.3 А).

    В корзину
  • 2N7002DWH6327 — сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.38 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.3 А). Заряд затвора 2 нКл.

    В корзину
  • 2N7002ET1G — N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOT-23. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.38 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 3 Ом (при Vgs = 10 В, Id = 0.3 А).

    В корзину
  • AO4407A полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости P. Максимальное напряжение сток-исток Vds -30 В, максимальный ток стока Id -12 А, сопротивление открытого канала 9,5 мОм. Заряд затвора — 46 нКл.

    В корзину
  • AO4430 полевой транзистор (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N. Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 13 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12 мОм (при Vgs=10 В, Id =13 А). Заряд затвора 11 нКл.

    В корзину
  • AO4435 P-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Напряжение сток-исток -30 Вольт, максимальный ток стока -10.5 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 13.5 мОм (при Vgs=-10 В, Id =-10 А).

    В корзину
  • AO4606 сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOP-8. Тип проводимости N+P. Напряжение сток-исток 30 / -30 Вольт, максимальный ток стока 7.5 А / -4.6 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 22 мОм (при Vgs=10 В, Id =6 А). Заряд затвора 5.2 нКл.

    В корзину
  • AOD536 N-канальный полевой транзистор для поверхностного монтажа в корпусе TO-252 (DPAK). Напряжение сток-исток 30 Вольт, максимальный ток стока 39 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 12 мОм (при Vgs=10 В, Id =20 А). Заряд затвора 15 нКл.

    В корзину
  • BSS138BKS сборка из двух полевых транзисторов (MOSFET) для поверхностного монтажа в корпусе SOT-363. Тип проводимости N+N. Напряжение сток-исток 60 Вольт, максимальный ток стока 0.41 А. Сопротивление канала в открытом состоянии 1.9 Ом (при Vgs=10 В, Id =0.5 А). Заряд затвора 0.65 нКл.

    В корзину
16
3171,98 

Корзина

Количество
1,81 
Количество
3,78 
Количество
130,77 
Количество
405,65 
Количество
1756,80 
Количество
22,96 
Количество
17,96 
Количество
33,70 
Количество
12,92 
Количество
4,38 
Количество
140,91 
Количество
0,71 
Количество
8,28 
Количество
446,62